Для балансных смесителей на полупроводниковых диодах требуются два или четыре диода с максимально близкими характеристиками. Особенно это важно для смесителей в приёмных трактах аппаратуры. Различие характеристик приводит к ухудшению интермодуляционных параметров приёмника, а дополнительные балансирующие устройства вносят потери, что несколько снижает его чувствительность. Между тем в изготавливаемых промышленностью широкополосных баланс-ных кольцевых смесителях (SRA, SBL и т.п.) степень балансировки превышает 40дБ. Это обеспечивается, в частности, тем, что в них используются диоды с очень близкими характеристиками, изготовленные в одном технологическом цикле (интегральные диодные матрицы). Иными словами, при повторении конструкций с балансными диодными смесителями на дискретных компонентах целесообразно провести предварительный отбор диодов. Для этого необходимо в первую очередь сравнить их вольт-амперные характеристики в прямом направлении. Поскольку полупроводниковый диод - это нелинейный элемент, непосредственное измерение омметром его прямого сопротивления не позволяет производить такое сопоставление. Делать это надо в нескольких (минимум двух) точках вольт-амперной характеристики диода, измеряя падение напряжения на диоде при фиксированных значениях прямого тока. Схема простейшего устройства, позволяющего производить подбор диодов, приведена на рисунке.
1 0,581 0,646 2 0,567 0,633 3 0,580 0,643 4 0,577 0,644
Из результатов этих измерений следует, что наиболее близкие вольт-амперные характеристики имеют диоды номер 1 и номер 3, близок к ним и диод номер 4, а диод номер 2 заметно отличается от других. Введя дополнительно один переключатель и резистор, можно добавить ещё одно значение стабилизированного тока и повысить точность подбора диодов (подбор по трём точкам). Это устройство можно применять и для проверки низковольтных стабилитронов при фиксированных значениях рабочего тока (устанавливаются подбором токозадающих резисторов). Поскольку рабочее напряжение на коллекторе транзистора VT1 не должно быть ниже 3 В, то при напряжении питания 12 В можно проверять приборы с напряжением стабилизации не выше 9 В. Для проверки стабили-тронов с большим напряжением стабилизации необходимо соответственно увеличить напряжение питания.r4f.su
radiotexno.3dn.ru
Принципиальная электрическая схема БС
Схема балансного диодного смесителя.
Выбираем подложку из поликора (,) толщиной.
Для проводников применяем золото .
Выбираем смесительные диоды с барьером Шотки типаАА112Б. Находим дБ; ;Ом.
Расчет начинаем с проектирования СВЧ моста.
Определяем волновое сопротивление для основной линии:
для шлейфов:
Ширина полоски основной линии и шлейфа:
мм
мм
Эффективная диэлектрическая проницаемость :
Для основной линии ; для шлейфов.
Длину четвертьволновых отрезков основной линии и шлейфовнаходим по формуле:
,
где - длина волны в воздухе:
;
Рассчитаем потери моста, для чего вычислим потери проводимости и диэлектрические потери в основной линии и шлейфах моста.
Толщина скин-слоя в проводниках:
Поверхностное сопротивление проводника:
Погонные потери проводимости находим по формуле для основной линии и шлейфов соответственно:
Потери проводимости отрезка основной линии и шлейфа соответственно:
.
Погонные диэлектрические потери в подложке МПЛ
, |
Диэлектрические потери в основной линии и шлейфе:
дБ
дБ
Полные потери основной линии и шлейфа
Потери моста , развязка изолированного плеча, КСВ входных плеч моста
.
.
Выходное сопротивление БС
Ом.
Потери преобразования БС равны
Lбс=Lд+Lм=6+0,27=6,27 дБ
Коэффициент шума БС рассчитываем по формуле :
где - шумовое число диода,- потери БС (разы).
Необходимая мощность гетеродина равна :
мВт.
Частота гетеродина: ГГц.
После расчетов можно приступить к разработке топологической схемы БС.
Топологическая схема балансного диодного
смесителя на квадратном мосте.
В схему БС необходимо добавить короткозамкнутый шлейф, длиной , для замыкания постоянной составляющей токов диодов и высокочастотные дроссели, шлейфы длинойдля блокировки токов СВЧ на входе УПЧ.
Для снижения коэффициента шума приёмника рационально после диодного преобразователя включать малошумящие каскады УПЧ, благодаря использованию в них малошумящих транзисторов, подбору режима их работы и специфическому построению цепи, соединяющий вход УПЧ с выходом преобразователя частоты.
Выбираем для УПЧ транзистор КТ364Б,имеющий высокуюfY21и малый уровень шума. Транзистор КТ364Б имеет следующие параметры:
к = r Ск=15 пс,
Ск=1,7 пФ,
fгр=1200 МГц,
Uк = 5 В,
Iк = 3 мА,
fп = 30 МГц,
h31=50…300.
Где к = r’ Ск- постоянная времени цепи обратной связи ;
Ск - ёмкость коллектора,fгр- предельная частота усиления тока в схеме с ОЭ;
fп- промежуточная частота.
Рассчитываем дополнительные параметры транзистора.
h31э = о = 40- коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ.
- сопротивление эмиттерного перехода,
rб = к/Ск = 15/1,7 = 8,8 Ом- сопротивление базы.
- входное сопротивление транзисторов с ОБ на низкой частоте.
-граничная частота крутизны характеристики в схеме с ОЭ. Т.к.fY21> 3fп , гдеfп = 30МГц то транзистор пригоден для использования в УПЧ.
Рассчитываем Y- параметры транзистора.
- прямая взаимная проводимость (крутизна) по модулю.
- обратная взаимная проводимость по модулю.
=9.6
Расчет фильтра сосредоточенной избирательности.
Исходными данными для расчета каскада с ФСИ являются:
; П=264кГц; ;;
ширина одного канала;
Выбор схемы фильтра.
Средняя частота настройки фильтра:
Полоса пропускания фильтра:
Относительная полоса пропускания фильтра
Расчёт параметров фильтра.
Выбираем фильтр без полюсов затухания иm=1
Находим нормированную расстройку
Определяем ослабление частоты в однозвенном фильтре
–не обеспечивает заданному требованию по ослабления частоты на 70дБ
- двухзвенный фильтр
–не обеспечивает заданному требованию по ослабления частоты на 70дБ
−трехзвенный фильтр
–не обеспечивает заданному требованию по ослабления частоты на 70дБ
− четырехзвенный фильтр
–не обеспечивает заданному требованию по ослабления частоты на 70дБ
пятизвенный фильтр
–обеспечивает заданному требованию по ослабления частоты на 70дБ
Потери на средней частоте полосы пропускания:
Таким образом для обеспечения данной избирательности необходимо 5ти звенный фильтр. Поскольку выбираем фильтр без полюсов затухания, то
Параметры кварцевого резонатора
Параметры кварцевой пластины АТ среза
- толщина
- площадь кварцевой пластины
- параллельная емкость резонатора
Коэффициент усиления каскада, нагруженного на ФСИ
Расчет отдельных каскадов УПЧ
Расчет одноконтурного каскада ()
Б)
В этом случае от каскада не удается получить максимального усиления, так как для этого требуется слишком малая эквивалентная емкость контура, не допустимая с точки зрения стабильности формы частотной характеристики. В подобной ситуации реализуют режим максимального усиления при ограничении минимального значения эквивалентной емкости контура. При этом коэффициент включения определяется по формуле
каскад не устойчив
Применяем пассивный способ повышения устойчивости, заключающийся в уменьшении резонансного коэффициента усиления до устойчивости. В этом случае каскад рассчитывают применительно к режиму фиксированного усиления задавшись величиной фиксированного коэффициента усиления
Коэффициент включения контура в цепь базы транзистора:
Для получения заданной полосы пропускания к контуру можно подключить шунтирующий резистор с проводимостью
studfiles.net
Для балансных смесителей на полупроводниковых диодах требуются два или четыре диода с максимально близкими характеристиками. Особенно это важно для смесителей в приёмных трактах аппаратуры. Различие характеристик приводит к ухудшению интермодуляционных параметров приёмника, а дополнительные балансирующие устройства вносят потери, что несколько снижает его чувствительность. Между тем в изготавливаемых промышленностью широкополосных баланс-ных кольцевых смесителях (SRA, SBL и т.п.) степень балансировки превышает 40дБ. Это обеспечивается, в частности, тем, что в них используются диоды с очень близкими характеристиками, изготовленные в одном технологическом цикле (интегральные диодные матрицы). Иными словами, при повторении конструкций с балансными диодными смесителями на дискретных компонентах целесообразно провести предварительный отбор диодов. Для этого необходимо в первую очередь сравнить их вольт-амперные характеристики в прямом направлении. Поскольку полупроводниковый диод - это нелинейный элемент, непосредственное измерение омметром его прямого сопротивления не позволяет производить такое сопоставление. Делать это надо в нескольких (минимум двух) точках вольт-амперной характеристики диода, измеряя падение напряжения на диоде при фиксированных значениях прямого тока. Схема простейшего устройства, позволяющего производить подбор диодов, приведена на рисунке.
1 0,581 0,646 2 0,567 0,633 3 0,580 0,643 4 0,577 0,644
Из результатов этих измерений следует, что наиболее близкие вольт-амперные характеристики имеют диоды номер 1 и номер 3, близок к ним и диод номер 4, а диод номер 2 заметно отличается от других. Введя дополнительно один переключатель и резистор, можно добавить ещё одно значение стабилизированного тока и повысить точность подбора диодов (подбор по трём точкам). Это устройство можно применять и для проверки низковольтных стабилитронов при фиксированных значениях рабочего тока (устанавливаются подбором токозадающих резисторов). Поскольку рабочее напряжение на коллекторе транзистора VT1 не должно быть ниже 3 В, то при напряжении питания 12 В можно проверять приборы с напряжением стабилизации не выше 9 В. Для проверки стабили-тронов с большим напряжением стабилизации необходимо соответственно увеличить напряжение питания.ra4foc.narod.ru